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廖小姐 女士
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发布时间:2020-06-11 23:48:32








条宽损失 (Etch bias) 过蚀刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀 性。 残留物 (Residues) – 在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。使用喷淋式蚀刻机,有数个喷头从上向下喷洒腐蚀液,金属板放在下面的传送带上,缓慢移动,控制速度,进行腐蚀。 微掩膜(Micro-masking)-- 由于微粒,薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。 糊胶(Resist reticulation)-- 温度超过 150 摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。 纵横比(Aspect ratio)-- 器件结构横截面深度和宽度的比率。
去边(Edge bead removal-EBR)--去胶边的过程,通常在涂胶后将溶剂喷在硅片的背面或前 边沿上。 前烘(Soft-bake)-- 在涂胶后用来去除胶溶剂的温度步骤。 ***-- 把涂胶后的硅片,暴露在某种形式的射线下,以在胶上产生隐约的图像 的步骤。耐腐蚀的感光油墨在使用前,要调整稀稠度,在冬天,油墨很容易凝固。 PEB —***以后消除胶里的由衬底反射引起的胶里的驻波的温度步骤。 显影(Development)-- 在***以后分解胶产生掩膜图案的过程。 后烘 (Hard-bake)—用来去除残留溶剂,增加胶的沾着力和耐腐能力,在显影后完成,可以包 括 DUV 固胶。
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